待验证50% 置信发布精确时间
深圳平湖实验室发布全球首个8吋GaN-on-SiC增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺平台。
1
来源数
50%
置信度
短期 (~14 天)
时效性
2026/10/15
首次发现
有效期至：2026/10/29
来源
涉及实体
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