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3D V-Cache基于台积电（TSMC）的SoIC先进封装技术，采用混合键合（Hybrid Bonding）工艺将额外的SRAM缓存芯片堆叠在处理器的CCD上方

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来源数

95%

置信度

长期有效

时效性

2026/6/1

首次发现

来源

AMD 3D V-Cache进军工作站：Ryzen PRO 9000系列全面解析

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涉及实体

3D V-Cacheconcept TSMCcompany SoICconcept Hybrid Bondingconcept

相关事实

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