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WSE-3采用整片12英寸晶圆制造，集成约4万亿个晶体管、90万个AI优化核心和44GB片上SRAM内存
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50%
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2026/8/23
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相关事实
待验证每颗HBM3e封装需要将8-12层DRAM裸片通过数千个硅通孔垂直互联71% 相似待验证WSE-3的片上SRAM容量达到44GB，SRAM访问延迟约1ns，比HBM约100ns低10-50倍69% 相似待验证Ryzen 7 5800X3D额外堆叠的64MB SRAM使L3缓存总量从32MB翻倍至96MB69% 相似待验证搭载AMD 780M/Radeon 890M核显的迷你机，需插满双通道内存（2x16GB以上）才能发挥完整核显性能，单条内存会导致核显帧率腰斩约40%65% 相似待验证AMD 3D V-Cache技术通过在CCD上方垂直堆叠额外SRAM缓存芯片，将L3缓存从32MB扩展至96MB甚至更多64% 相似
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