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采用 GaN 氮化镓材质，相比传统硅基充电器体积更小、发热控制更好，是该价位段的主要卖点
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Unverified氮化镓（GaN）相比传统硅材料开关频率更高、能效更高，因此同功率下体积可缩小约40%、发热更低，这是氮化镓充电器普遍更小巧的技术原因88% similarUnverifiedGaN氮化镓方案的充电站体积可比传统硅方案缩小约40%且发热更低，多口高功率场景优先选GaN，散热差的方案长期高温会加速电容老化83% similarUnverifiedPD协议充电器采用氮化镓(GaN)方案的体积更小、发热更低，同功率下比传统硅方案车充散热表现更好80% similarUnverified氮化镓充电器芯片方案影响转换效率与发热，纳微(Navitas)、英诺赛科(Innoscience)、GaN Systems为主流第三代半导体供应商，采用这些方案的产品散热更稳定；纯堆料无品牌芯片的低价氮化镓易高温降频79% similarUnverifiedGaN（氮化镓）车充在同等功率下体积更小、发热更低，65W以上高功率场景优先选GaN方案以兼顾散热和不遮挡空间78% similar
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