DRAM
一种常见的半导体存储器类型，广泛用于计算机、手机、服务器等设备的主内存，以高密度、低成本为核心竞争要素，市场长期由三星、SK海力士、美光三家寡头主导
Core Facts
Timeline (last 90 days)
2022至2023年间DRAM价格曾出现超过50%的跌幅
内存价格上涨会迫使设备制造商承担更高物料成本或在同等预算下配置更低容量内存
DRAM价格周期常被归因于猪周期效应：价格高企时厂商扩产，产能释放后价格暴跌，厂商缩减投资，供给收缩又推动价格回升
内存（DRAM）属于周期性大宗商品，其价格受产能、需求和市场库存的多重影响而频繁波动
HBM由标准DRAM工艺衍生，生产HBM会占用大量原本可用于普通DRAM的晶圆产能
闪存在容量密度和成本上相较DRAM有天然优势，但存在写入寿命和延迟劣势
DRAM读写延迟约为60—100纳秒，而NAND闪存读取延迟通常在10—100微秒量级
长鑫存储是中国大陆目前少数具备DRAM量产能力的企业之一
若长鑫存储产能单月晶圆投片量达数万片以上，将对全球DRAM供需平衡产生不可忽视的扰动
历史上台湾力晶、尔必达等DRAM厂商在价格战中被淘汰出局
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全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家寡头垄断，三者合计市场份额超过95%
80%UnverifiedFlash chips provide far greater storage density per unit area than DRAM at a much lower cost
90%Unverified分层内存架构将HBM、DRAM和CXL扩展内存池组织成层级结构，其中HBM作为高速缓存层、DRAM作为主内存层、CXL提供大容量可共享内存资源
60%UnverifiedHBM采用TSV技术在极薄的DRAM晶圆上钻出数千个微米级通孔，每层DRAM die需要研磨至约30-40微米厚度
60%Unverified内存价格上涨会迫使设备制造商承担更高物料成本或在同等预算下配置更低容量内存
50%Unverified内存（DRAM）属于周期性大宗商品，其价格受产能、需求和市场库存的多重影响而频繁波动
50%Unverified2022至2023年间DRAM价格曾出现超过50%的跌幅
50%UnverifiedDRAM价格周期常被归因于猪周期效应：价格高企时厂商扩产，产能释放后价格暴跌，厂商缩减投资，供给收缩又推动价格回升
50%UnverifiedHBM由标准DRAM工艺衍生，生产HBM会占用大量原本可用于普通DRAM的晶圆产能
50%UnverifiedDRAM读写延迟约为60—100纳秒，而NAND闪存读取延迟通常在10—100微秒量级
50%Unverified闪存在容量密度和成本上相较DRAM有天然优势，但存在写入寿命和延迟劣势
50%Unverified历史上台湾力晶、尔必达等DRAM厂商在价格战中被淘汰出局
50%Unverified长鑫存储是中国大陆目前少数具备DRAM量产能力的企业之一
50%Unverified三星、SK海力士和美光的最先进DRAM已推进至1α（约14-15nm）乃至1β（约13nm）节点，并正在向1γ迈进
50%UnverifiedDRAM竞争核心在于制程微缩带来的容量密度和成本优势，与逻辑芯片不同
50%UnverifiedDRAM制程微缩的难点在于电容结构的纵向深挖和晶体管的精密控制，比逻辑芯片更具挑战性
50%UnverifiedSK海力士是全球领先的DRAM和NAND闪存供应商
50%Unverified存储厂商将更多产能优先分配给利润更高的AI存储产品，导致面向消费级市场的普通DRAM和NAND供货趋于紧张
50%Unverified2023年以来随着ChatGPT等生成式AI应用爆发，数据中心对HBM和大容量服务器DRAM的需求急剧攀升
50%Unverified2021至2022年间DRAM价格因疫情需求爆发和产能滞后而大幅攀升，2023年至2024年初经历明显价格下行周期，主要厂商一度大幅减产
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