概念宽禁带半导体材料
宽禁带半导体
禁带宽度显著大于硅的半导体材料，典型代表为碳化硅和氮化镓，具有高击穿电场、低损耗、高工作温度等特性
时间轴 (近 90 天)
10月23日
传统硅基IGBT在效率与耐压上已接近极限，宽禁带半导体（如碳化硅、氮化镓）以及专为脉冲功率场景设计的器件成为聚变电站商业化的关键。
待验证50%
禁带宽度显著大于硅的半导体材料，典型代表为碳化硅和氮化镓，具有高击穿电场、低损耗、高工作温度等特性
传统硅基IGBT在效率与耐压上已接近极限，宽禁带半导体（如碳化硅、氮化镓）以及专为脉冲功率场景设计的器件成为聚变电站商业化的关键。