概念GaN
氮化镓
宽禁带半导体材料，禁带宽度约3.4eV，具有高电子迁移率和高击穿电场，适用于高频功率器件
时间轴 (近 90 天)
10月25日
垂直氮化镓功率器件相比硅具有更高的击穿电场和更低的开关损耗，适合高频高压场景，尤其适配800V直流架构。
待验证50%
10月23日
传统硅基IGBT在效率与耐压上已接近极限，宽禁带半导体（如碳化硅、氮化镓）以及专为脉冲功率场景设计的器件成为聚变电站商业化的关键。
待验证50%
9月6日
GaN器件开关频率可达MHz级别，SiC通常在100-300kHz，SiC在1kW以上中大功率场景具有不可替代优势
待验证50%
9月6日
氮化镓（GaN）是一种第三代宽禁带半导体材料，相比传统硅基功率器件具有更高的电子迁移率和击穿电压，能够在更高频率下工作
待验证50%