概念SiC
碳化硅
宽禁带半导体材料，禁带宽度约3.2eV，具有高击穿电场、低导通电阻和高温工作能力
时间轴 (近 90 天)
10月23日
传统硅基IGBT在效率与耐压上已接近极限，宽禁带半导体（如碳化硅、氮化镓）以及专为脉冲功率场景设计的器件成为聚变电站商业化的关键。
待验证50%
10月23日
目前SiC器件已在电动车逆变器和光伏逆变器中规模商用，但聚变工况对电流密度和抗辐射能力的要求更高，现有商用产品尚不能直接满足。
待验证50%
9月6日
全球SiC衬底市场长期由美国Wolfspeed主导，市占率一度超过60%
待验证50%
9月6日
GaN器件开关频率可达MHz级别，SiC通常在100-300kHz，SiC在1kW以上中大功率场景具有不可替代优势
待验证50%
9月6日
碳化硅(SiC)的带隙宽度为3.26eV,约为传统硅材料(1.12eV)的三倍
待验证50%