概念Lithium Niobate
薄膜铌酸锂
一种光子集成芯片材料，具有高速电光调制特性，用于光量子计算芯片
时间轴 (近 90 天)
10月19日
图灵量子团队把薄膜铌酸锂光量子芯片的光子线路传输损耗降到0.03 dB/cm，关键单器件插入损耗低于0.1 dB，光纤—芯片单端耦合损耗达到0.9 dB/facet，晶圆级量子光源光谱纯度超过99%。
待验证50%
一种光子集成芯片材料，具有高速电光调制特性，用于光量子计算芯片
图灵量子团队把薄膜铌酸锂光量子芯片的光子线路传输损耗降到0.03 dB/cm，关键单器件插入损耗低于0.1 dB，光纤—芯片单端耦合损耗达到0.9 dB/facet，晶圆级量子光源光谱纯度超过99%。