产品高数值孔径极紫外光刻机 / High-NA EUV光刻机
High-NA EUV
ASML研发的新一代极紫外光刻设备，数值孔径从0.33提升至0.55，理论分辨率提升约40%，是埃米级先进芯片制程的关键制造设备
时间轴 (近 90 天)
9月15日
High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）由阿斯麦（ASML）研发制造，将数值孔径从现有EUV的0.33提升至0.55，理论分辨率提升约40%
待验证50%
9月15日
单台High-NA EUV设备售价约3.5至4亿美元，是现有EUV机台的两倍以上
待验证50%
9月15日
台积电已采购High-NA EUV设备用于研发
待验证50%