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SiC MOSFET
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管,一种宽禁带功率半导体器件,具有高击穿场强、高热导率和低开关损耗,适用于高效电力转换。
时间轴 (近 90 天)
9月6日
SiC MOSFET相比传统硅基IGBT可将开关损耗降低50-80%
待验证
60%
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待验证
SiC MOSFET相比传统硅基IGBT可将开关损耗降低50-80%
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来源文章
Helion融资2.25亿美元,研发新型半导体提升聚变电厂输出
10月22日