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概念

SiC MOSFET

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管,一种宽禁带功率半导体器件,具有高击穿场强、高热导率和低开关损耗,适用于高效电力转换。

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9月6日

SiC MOSFET相比传统硅基IGBT可将开关损耗降低50-80%

待验证60%

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