SiC（碳化硅）功率器件中，SiC的击穿电场强度约为硅的10倍，热导率约为硅的3倍，能在更高电压、更高温度、更高开关频率下工作，是新能源汽车主驱逆变器、OBC、DC-DC转换器及800V高压平台的关键支撑；1200V/35mΩ、1200V/60mΩ指器件的耐压等级与导通电阻，导通电阻越低导通损耗越小。