SiC
第三代宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率和高开关频率特性，用于制造高压高频功率器件
时间轴 (近 90 天)
固态变压器先将工频交流电整流为直流，再通过高频半导体开关（如IGBT、SiC器件）逆变为高频交流，最后变换为目标电压；频率提高后同等功率下磁性元件可大幅缩小。
当前SiC等高压器件成本较高，大功率固态变压器的单位造价仍显著高于传统方案。
SiC（碳化硅）功率器件中，SiC的击穿电场强度约为硅的10倍，热导率约为硅的3倍，能在更高电压、更高温度、更高开关频率下工作，是新能源汽车主驱逆变器、OBC、DC-DC转换器及800V高压平台的关键支撑；1200V/35mΩ、1200V/60mΩ指器件的耐压等级与导通电阻，导通电阻越低导通损耗越小。
化合物半导体指由两种或两种以上元素化合而成的半导体材料，典型代表包括GaAs、GaN、SiC和InP，区别于硅、锗等元素半导体，在射频通信、光通信、功率器件与新型显示等领域具备硅难以替代的优势。
固态变压器（SST）用功率半导体（如 SiC、GaN 器件）在高频下完成电能变换，把交流整流为直流、再逆变为所需交直流形式，具备体积小、可主动控制和多端口输出的特点。
特斯拉Model 3率先在主驱逆变器中大规模采用SiC器件
全部知识事实 (6)
固态变压器先将工频交流电整流为直流，再通过高频半导体开关（如IGBT、SiC器件）逆变为高频交流，最后变换为目标电压；频率提高后同等功率下磁性元件可大幅缩小。
50%待验证当前SiC等高压器件成本较高，大功率固态变压器的单位造价仍显著高于传统方案。
50%待验证SiC（碳化硅）功率器件中，SiC的击穿电场强度约为硅的10倍，热导率约为硅的3倍，能在更高电压、更高温度、更高开关频率下工作，是新能源汽车主驱逆变器、OBC、DC-DC转换器及800V高压平台的关键支撑；1200V/35mΩ、1200V/60mΩ指器件的耐压等级与导通电阻，导通电阻越低导通损耗越小。
50%待验证化合物半导体指由两种或两种以上元素化合而成的半导体材料，典型代表包括GaAs、GaN、SiC和InP，区别于硅、锗等元素半导体，在射频通信、光通信、功率器件与新型显示等领域具备硅难以替代的优势。
50%待验证固态变压器（SST）用功率半导体（如 SiC、GaN 器件）在高频下完成电能变换，把交流整流为直流、再逆变为所需交直流形式，具备体积小、可主动控制和多端口输出的特点。
50%待验证特斯拉Model 3率先在主驱逆变器中大规模采用SiC器件
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