待验证70% 置信事实精确时间

英伟达H100的HBM接口总线宽度达5120位，远超传统显存的384位

2

来源数

70%

置信度

长期有效

时效性

2026/7/11

首次发现

来源

SK海力士265亿美元IPO创纪录：AI存储芯片与美国建厂博弈

rss2026/7/10

相关事实

待验证英伟达Tesla V100有32GB显存版本，采用HBM2高带宽显存75% 相似待验证HBM的物理位宽极宽（可达1024位甚至更高），能在较低频率下提供远超GDDR的内存带宽75% 相似待验证HBM4 将底层接口位宽从 HBM3E 的 1024-bit 提升至 2048-bit75% 相似待验证单颗HBM3e堆叠最大容量目前约36GB，DDR5总线位宽仅为64位而HBM可达4096位74% 相似待验证H100显存带宽为3.35 TB/s HBM3，RTX 5090为1792 GB/s GDDR774% 相似

引用此条事实

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