待验证50% 置信事实精确时间
EUV技术使用13.5纳米波长光源，相较传统DUV(193纳米)可在单次曝光实现更精细图案转移，是7nm以下先进制程量产的关键技术
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来源数
50%
置信度
长期有效
时效性
2026/7/24
首次发现
来源
DeepSeek自研AI芯片：中国AI摆脱英伟达依赖的关键一步
redditr/LocalLLaMA2026/7/12
相关事实
待验证中芯国际主要依靠深紫外光刻（DUV）多重曝光技术实现部分7nm制程产品的小批量生产，但良率与产能与台积电存在显著差距71% 相似待验证先进制程芯片制造高度依赖荷兰ASML生产的极紫外光刻机（EUV）68% 相似待验证不要用低分辨率或模糊照片做大尺寸UV打印，放大后颗粒感和噪点会被明显放大，建议原图分辨率≥300dpi且长边像素＞200065% 相似待验证超长焦DC普遍采用1/2.3英寸小传感器，画质在ISO800以上明显劣化，弱光和阴天拍摄需接受高噪点；1英寸大底机型(如索尼RX10IV)光学倍数只能做到25倍，属于画质与焦距的取舍63% 相似待验证高像素与高感光度存在权衡：6000万像素以上机型（如A7R V）细节丰富但单像素受光面积小、高ISO噪点更多且文件庞大；主拍视频或弱光选2400-3300万像素平衡机型63% 相似
引用此条事实
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