摩尔定律
摩尔定律指集成电路上可容纳的晶体管数量每18至24个月翻倍，由英特尔联合创始人戈登·摩尔于1965年提出，被广泛用于描述计算性能的指数级增长，但在2010年代后逐渐放缓
核心事实
时间轴 (近 90 天)
FinFET 成为延续摩尔定律的关键技术。
摩尔定律并非物理法则，而是对半导体产业创新节奏的经验性总结。
晶体管密度的提升速度已从每两年翻倍放缓至每三至四年
随着制程进入3nm以下节点，量子隧穿效应等物理极限使漏电问题愈加严峻，缩小制程带来的性能与能效收益边际递减
摩尔定律描述了芯片性能翻倍的现象
二维半导体因其原子级厚度和优异的电学特性，被视为延续摩尔定律、突破功耗与尺寸瓶颈的潜在候选者
在摩尔定律逼近物理极限时，从计算的物理本质出发寻找突破或许是延续算力增长的重要路径之一
AI模型能力提升速度甚至快于芯片领域的摩尔定律
摩尔定律所描述的芯片晶体管密度增长曾长期呈现近似指数特征
摩尔定律由英特尔联合创始人戈登·摩尔在1965年提出，观察到集成电路上晶体管数量约每两年翻一倍，在半导体行业持续了超过50年
全部知识事实 (11)
摩尔定律指集成电路上可容纳的晶体管数量每18至24个月翻倍，在2010年代后逐渐放缓
75%待验证AI模型能力提升速度甚至快于芯片领域的摩尔定律
60%待验证FinFET 成为延续摩尔定律的关键技术。
50%待验证摩尔定律并非物理法则，而是对半导体产业创新节奏的经验性总结。
50%待验证晶体管密度的提升速度已从每两年翻倍放缓至每三至四年
50%待验证随着制程进入3nm以下节点，量子隧穿效应等物理极限使漏电问题愈加严峻，缩小制程带来的性能与能效收益边际递减
50%待验证摩尔定律描述了芯片性能翻倍的现象
50%待验证二维半导体因其原子级厚度和优异的电学特性，被视为延续摩尔定律、突破功耗与尺寸瓶颈的潜在候选者
50%待验证在摩尔定律逼近物理极限时，从计算的物理本质出发寻找突破或许是延续算力增长的重要路径之一
50%待验证摩尔定律所描述的芯片晶体管密度增长曾长期呈现近似指数特征
50%待验证摩尔定律由英特尔联合创始人戈登·摩尔在1965年提出，观察到集成电路上晶体管数量约每两年翻一倍，在半导体行业持续了超过50年
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