混合键合

英特尔混合键合技术将连接间距从当前量产的25微米推向10微米以下，实验室已展示0.45微米间距的可靠性数据。

混合键合是一种将两片晶圆或Die直接键合的三维集成技术，通过铜-铜直接接触和介质层键合实现电气互连，互连间距可从数十微米缩小到几微米甚至亚微米级别。