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长新存储

中国存储芯片企业，研发DRAM存储架构，涉及HBM等高性能内存技术。

时间轴 (近 90 天)

10月21日

据B站视频披露，长新存储成功研发出4F2存储架构，单单元面积缩减约30%，提升了国产HBM的容量上限。

待验证50%

据B站视频披露，长新存储成功研发出4F2存储架构，单单元面积缩减约30%，提升了国产HBM的容量上限。