待验证50% 置信事实精确时间

HBM4 将底层接口位宽从 HBM3E 的 1024-bit 提升至 2048-bit

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来源数

50%

置信度

长期有效

时效性

2026/9/20

首次发现

来源

三星拟翻倍HBM4/HBM4E产能，剑指AI内存市场

涉及实体

HBM4technology HBM3Etechnology

相关事实

待验证HBM演进路径从HBM1（128GB/s）经HBM2（256GB/s）、HBM2e（460GB/s）到HBM3e（单栈1.2TB/s），带宽密度提升超过9倍76% 相似已验证HBM3e单栈带宽可达1.2TB/s，相比传统GDDR6带宽可达4-9倍75% 相似待验证英伟达H100的HBM接口总线宽度达5120位，远超传统显存的384位75% 相似已验证英伟达H100采用的HBM3内存带宽高达3.35TB/s74% 相似待验证单颗HBM3e堆叠最大容量目前约36GB，DDR5总线位宽仅为64位而HBM可达4096位74% 相似

引用此条事实

Stable URI

https://kongchang.com/claim/937338

API

curl https://kongchang.com/api/v1/knowledge/claims/937338

MCP

get_claim(id=937338)