概念极紫外光刻 / EUV Lithography
EUV光刻
使用极紫外光进行芯片光刻的技术，是7纳米以下先进制程量产的关键工艺，目前仅ASML能制造相关设备
时间轴 (近 90 天)
10月19日
EUV光刻机整个光路必须在真空中工作，光源依赖高功率激光轰击锡液滴产生等离子体。
待验证50%
10月16日
马斯克的芯片项目Terafab正在快速建设，可能在明年年中迎来首台阿斯麦EUV光刻设备，表明其第一代产品仍将依赖传统激光等离子体光源方案。
待验证50%
10月15日
ASML是全球唯一能生产EUV光刻机的企业。
待验证50%
10月14日
单台EUV设备包含逾十万个精密零件，重达180吨，造价约1.5亿至3.5亿美元。
待验证50%
7月24日
EUV技术使用13.5纳米波长光源，相较传统DUV(193纳米)可在单次曝光实现更精细图案转移，是7nm以下先进制程量产的关键技术
待验证50%