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Gate-All-Around / 全环绕栅极 / GAA
GAA晶体管
一种先进晶体管架构,栅极完整环绕纳米片或纳米线实现四面全包裹,相比FinFET可大幅提升对沟道电流的控制能力,有效抑制短沟道效应和漏电流,是埃米级芯片制程的关键技术
来源文章
台积电A14工艺节点曝光:下一代芯片制程的新突破
9月15日